ニュースリリース

2020年12月23日
富士電機株式會社
業界最高クラスの低損失性能で生産設備の省エネに貢獻する
「XシリーズIGBT-IPM」の発売について
※1:Insulated Gate Bipolar Transistor(IGBT)Intelligent Power Module(IPM)
1. 背景
製造業では生産性向上のため、生産現場の自動化に向けたNC工作機械やロボットの導入を進めており、地球溫暖化を背景に、生産設備のさらなる省エネの実現が課題となっています。
パワー半導體の一つであるIGBTモジュールは、スイッチング(電気のオン?オフ)により電圧や周波數、交流?直流などの電力変換を行う電子部品であり、IGBT-IPMは、過電流?過熱などによる故障を防ぐ自己保護機能を搭載したIGBTモジュールです。このため、生産設備に高い信頼性が求められるNC工作機械や産業用ロボットといった設備に広く採用されています。
當社は今般、最新の第7世代パワー半導體素子を搭載し、業界最高クラスの低損失性能で生産設備の省エネに貢獻する「XシリーズIGBT-IPM」を発売しました。12月より量産を開始し、自動化が進む日本國內?中國などを中心に、グローバルに展開していきます。

XシリーズIGBT-IPM(代表パッケージ)
2. 製品の特長
①業界最高クラスの低損失性能で生産設備の省エネを実現
本製品は、素子の厚みを薄くし表面構造を微細化することで、業界最高クラスの低損失性能を実現した、最新の第7世代IGBT素子を搭載しています。また、通常パワー半導體は、製品の動作溫度が高くなるとスイッチング速度が遅くなり電力損失が大きくなりますが、IGBT駆動を制御するICにより、高溫條件下においてスイッチング速度が低下しないよう制御することで、電力損失を低減しました。
本製品は、従來品(VシリーズIGBT-IPM)に比べインバータ動作時の電力損失を約10%低減するとともに、電力損失によって発生する熱を抑制したことで、設置面積を従來品比で最大54%の小型化を実現しています。これにより、生産設備の省エネと小型化に貢獻します。
②業界初となる溫度ワーニング出力機能を搭載し、設備の安定稼働に貢獻
IGBT-IPMは、IGBT素子の過熱保護機能を搭載しています。本製品の場合、IGBT素子の溫度が175℃を上回ると、IGBT-IPMは設備側の制御裝置(コントローラ等)にアラーム信號を出力するとともに、スイッチング動作を停止し、IGBT-IPMの故障を未然に防ぎます。
加えて本製品には、業界初となる「溫度ワーニング出力機能」を搭載しており、素子の溫度が150℃を上回るとワーニング信號を出します。ワーニング信號が出力されてから、過熱保護が動作する175℃に到達するまでの間はスイッチング動作が可能なため、設備側の制御裝置は任意のタイミングで生産設備を停止させ、メンテナンスを行う事が可能となります。生産設備の突然の停止を回避し、安定稼働に貢獻します。
3. 主な用途
4. 主な仕様
定格電圧(V) | 定格電流(A) | 寸法(㎜) | 発売時期 |
---|---|---|---|
650V | 20A,30A | 36×70×12 | 2020年12月 |
1200V | 10A | 2020年12月 | |
650V | 50A,75A | 49.5×70×12 | 2020年12月 |
1200V | 25A,35A | 2020年12月 | |
650V | 50A,75A,100A | 50.2×87×12 | 2021年2月 から順次 |
1200V | 25A,35A,50A | ||
650V | 50A~150A | 55×90×22 | |
1200V | 25A~75A | ||
650V | 50A~250A | 84×128.5×14 | |
1200V | 25A~150A | ||
650V | 200A~450A | 110×142×27 | |
1200V | 100A~300A |
5. 製品に関するお問い合わせ先
?03-5435-7152
あらかじめご了承ください。